Deposizione di strati atomici ALD
Applicazioni
| Applicazioni | Scopo specifico | Tipo di materiale ALD |
| Dispositivi MEMS | Strato barriera all'incisione | Al2O3 |
| Strato protettivo | Al2O3 | |
| Strato antiaderente | TiO2 | |
| Strato idrofobo | Al2O3 | |
| Strato adesivo | Al2O3 | |
| Strato resistente all'usura | Al2O3, TiO2 | |
| Strato anti-cortocircuito | Al2O3 | |
| Strato di dissipazione della carica | ZnO: Al | |
| Display elettroluminescente | Strato luminoso | ZnS: Mn/Er |
| Strato di passivazione | Al2O3 | |
| Materiali di stoccaggio | Materiali ferroelettrici | Hfo2 |
| Materiali paramagnetici | Do2O3, Ehm2O3, Dy₂O₃, Ho2O3 | |
| Accoppiamento non magnetico | Ru, Ir | |
| Elettrodi | Metalli preziosi | |
| Accoppiamento induttivo (ICP) | Strato dielettrico di gate ad alto k | Hfo2, TiO2, Ta2O5, ZrO₂ |
| Batteria solare al silicio cristallino | Passivazione superficiale | Al2O3 |
| Batteria a film sottile di perovskite | Strato tampone | ZnxMnyO |
| Strato conduttore trasparente | ZnO: Al | |
| Confezione 3D | Through-Silicon-Vias (TSV) | Cu, Ru, TiN |
| Applicazione luminosa | Strato di passivazione OLED | Al2O3 |
| Sensori | Strato di passivazione, materiali d'apporto | Al2O3, SiO2 |
| Trattamento medico | Materiali biocompatibili | Al2O3, TiO2 |
| Strato di protezione dalla corrosione | Strato protettivo anticorrosione superficiale | Al2O3 |
| Batteria a carburante | Catalizzatore | Pt, Pd, Dx |
| Batteria al litio | Strato di protezione del materiale dell'elettrodo | Al2O3 |
| Testina di lettura/scrittura del disco rigido | Strato di passivazione | Al2O3 |
| Rivestimento decorativo | Film colorato, film metallizzato | Al2O3, TiO2 |
| Rivestimento anti-scolorimento | Prezioso rivestimento antiossidante in metallo | Al2O3, TiO2 |
| Film ottici | Indice di rifrazione alto-basso |
MGF2, SiO2, ZnS, TiO2, Ta2O5, ZrO2, Hfo2 |
Principio di funzionamento
La deposizione di strati atomici (ALD) è un metodo per depositare le sostanze sulla superficie del substrato nel
forma disingolo film atomico strato per strato.La deposizione di strati atomici è simile alla comune deposizione chimica,
ma nel processodella deposizione dello strato atomico, la reazione chimica di un nuovo strato di pellicola atomica è direttamente
associato al precedentestrato, in modo che un solo strato di atomi venga depositato in ciascuna reazione con questo metodo.
Caratteristiche
| Modello | ALD1200-500 |
| Sistema di film di rivestimento | AL2O3,TiO2,ZnO, ecc |
| Intervallo di temperatura del rivestimento | Temperatura normale fino a 500 ℃ (personalizzabile) |
| Dimensione della camera sottovuoto di rivestimento | Diametro interno: 1200 mm, Altezza: 500 mm (personalizzabile) |
| Struttura della camera a vuoto | Secondo i requisiti del cliente |
| Vuoto di fondo | <5×10-7mbar |
| Spessore del rivestimento | ≥0,15 nm |
| Precisione nel controllo dello spessore | ±0,1 nm |
| Dimensione del rivestimento | 200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200 mm², ecc |
| Uniformità dello spessore del film | ≤±0,5% |
| Gas precursore e vettore |
Trimetilalluminio, tetracloruro di titanio, zinco dietile, acqua pura, azoto, ecc. ( C₃H₉Al, TiCl4, C₄HZn,H2O,N₂, ecc.) |
| Nota: produzione personalizzata disponibile. | |
Campioni di rivestimento
Fasi del processo
→ Posizionare il substrato per il rivestimento nella camera a vuoto;
→ Aspirare la camera a vuoto ad alta e bassa temperatura e ruotare il substrato in modo sincrono;
→ Inizio rivestimento: il substrato viene messo a contatto con il precursore in sequenza e senza reazione simultanea;
→ Eliminarlo con azoto gassoso ad alta purezza dopo ogni reazione;
→ Interrompere la rotazione del substrato dopo che lo spessore del film è conforme allo standard e l'operazione di spurgo e
il raffreddamento ècompletato, quindi rimuovere il supporto dopo che sono state soddisfatte le condizioni di rottura del vuoto.
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